音叉晶體振蕩電路
來源：http://m.caiyun24h.cn 作者：konuaer 2012年07月08
振蕩電路的設計概述
振蕩電路設計的關鍵參數
驅動級（DL），振蕩頻率和負載電容（CL）
振蕩津貼，頻率溫度曲線
驅動級（DL）
晶振單元的驅動器的運行功率或電流消耗水平（參見圖9,10和11）所示。晶體單元操作的權力過大，水平，將導致其特點，這可能會導致晶體芯片的頻率不穩定或物理故障的退化。你的電路設計在絕對最大驅動電平。
.jpg)
振蕩頻率和負載電容（CL）
.jpg)
負載電容（CL）是一個確定的振蕩電路的頻率參數。 CL是代表一個有效的等效電容，加載從振蕩電路的晶體單元的兩端（見圖12）。
振蕩頻率會有所不同，這取決于負載電容
振蕩電路。為了獲得理想的頻率精度，振蕩電路的負載電容和晶體單元之間的匹配是必需的。為使用的晶體單元，配合晶體單元的負載電容的振蕩電路的負載電容。
.jpg)
振蕩津貼
為了確保穩定的振蕩電路的負電阻應該顯著高于等效串聯電阻較大的（振蕩津貼是大）。確保振蕩津貼，是至少5倍的等效串聯電阻大。
振蕩津貼的評價方法
加入電阻“RX”系列晶體單元，并確保該振蕩啟動或停止。近似的負阻電路是通過增加有效的抵抗“RE”的最大阻力“RX”振蕩啟動或停止后，逐漸使Rx值較大時，得到的值。
負阻 - R的|= RX+復
|-R的是一個至少5倍作為最大的晶體單元的等效串聯電阻（R1的最大值）。大的價值。
* Re為振蕩過程中的有效電阻值。
RE = R1（1+ CO/ CL的）2.jpg)
頻率溫度曲線
音叉晶體的頻率溫度特性的負二次曲線，其中有一個高峰期在25ºC每左圖所示。
請確保你所需要的溫度范圍和頻率精度考慮，因為頻率的幅度變化變得越來越大，溫度范圍變寬。
[頻率溫度特性的近似公式]
f_tem= B（T-TI）2
A：拋物系數 T：給定的溫度
鈦成交額溫度的
振蕩電路設計的關鍵參數
驅動級（DL），振蕩頻率和負載電容（CL）
振蕩津貼，頻率溫度曲線
驅動級（DL）
晶振單元的驅動器的運行功率或電流消耗水平（參見圖9,10和11）所示。晶體單元操作的權力過大，水平，將導致其特點，這可能會導致晶體芯片的頻率不穩定或物理故障的退化。你的電路設計在絕對最大驅動電平。
振蕩頻率和負載電容（CL）
負載電容（CL）是一個確定的振蕩電路的頻率參數。 CL是代表一個有效的等效電容，加載從振蕩電路的晶體單元的兩端（見圖12）。
振蕩頻率會有所不同，這取決于負載電容
振蕩電路。為了獲得理想的頻率精度，振蕩電路的負載電容和晶體單元之間的匹配是必需的。為使用的晶體單元，配合晶體單元的負載電容的振蕩電路的負載電容。
振蕩津貼
為了確保穩定的振蕩電路的負電阻應該顯著高于等效串聯電阻較大的（振蕩津貼是大）。確保振蕩津貼，是至少5倍的等效串聯電阻大。
振蕩津貼的評價方法
加入電阻“RX”系列晶體單元，并確保該振蕩啟動或停止。近似的負阻電路是通過增加有效的抵抗“RE”的最大阻力“RX”振蕩啟動或停止后，逐漸使Rx值較大時，得到的值。
負阻 - R的|= RX+復
|-R的是一個至少5倍作為最大的晶體單元的等效串聯電阻（R1的最大值）。大的價值。
* Re為振蕩過程中的有效電阻值。
RE = R1（1+ CO/ CL的）2
頻率溫度曲線
音叉晶體的頻率溫度特性的負二次曲線，其中有一個高峰期在25ºC每左圖所示。
請確保你所需要的溫度范圍和頻率精度考慮，因為頻率的幅度變化變得越來越大，溫度范圍變寬。
[頻率溫度特性的近似公式]
f_tem= B（T-TI）2
A：拋物系數 T：給定的溫度
鈦成交額溫度的
正在載入評論數據...
相關資訊
- [2012-04-23]晶振資料
- [2012-04-30]OCXO恒溫振蕩器晶體功能介紹
- [2012-04-30]石英晶振內部全包含有那些參數
- [2012-04-30]VC-TCXO是屬于什么晶體
- [2012-05-14]石英晶振與有源晶振分類
- [2012-05-15]13312967622
- [2012-05-15]13823300879
- [2012-05-15]27838351
